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Dieser Inhalt ist nicht auf Deutsch verfügbar.News & Scientific Highlights
Extreme ultraviolet for scalable silicon quantum devices
Experiments at the Swiss Light Source (SLS) show the potential of extreme ultraviolet light (EUV) to make the building blocks of scalable quantum computers.
Unveiling ultra-thin electron liquids in silicon
Soft X-rays enable scientists to visualise non-invasively the electronic properties of ultra-thin dopant layers buried within semiconductor wafers.
Wasser besser verstehen
Potenzialkarte von Wassermolekülen erstellt
Halbleiter erreichen die Quantenwelt
Mit einem Supraleiter aufgemotzt: Die Halbleitertechnologie könnte eine neue Wendung erhalten, indem Quanteneffekte in Supraleitern ausgenutzt werden.
Die Physik in neuen Metallen verstehen
Forschende des PSI könnten gemeinsam mit internationalen Kollegen nun korrelierte Metalle für die Anwendung in der Supraleitung, Datenverarbeitung oder in Quantencomputern nutzbar gemacht haben.
Ein elektronisches Material massschneidern
Forschende am PSI haben ein Material untersucht, das sich für zukünftige Anwendungen in der Datenspeicherung eignen könnte. Mit einem Trick haben sie die Kristallstruktur ihrer Probe gezielt verzerrt und dabei vermessen, wie dies die magnetischen und elektronischen Eigenschaften beeinflusst.
Weyl-Fermionen in einer weiteren Materialklasse entdeckt
Eine besondere Art von Teilchen, sogenannte Weyl-Fermionen, waren bislang nur in bestimmten nicht-magnetischen Materialien gefunden worden. Jetzt aber haben PSI-Forschende sie erstmals auch in einem besonderen paramagnetischen Material experimentell nachgewiesen.
Neuartiges Material zeigt auch neue Quasiteilchen
Forschende des PSI haben an der Synchrotron Lichtquelle Schweiz SLS ein neuartiges kristallines Material untersucht, das bislang nie gesehene elektronische Eigenschaften zeigt. Unter anderem konnten sie eine neue Sorte Quasiteilchen nachweisen: sogenannte Rarita-Schwinger-Fermionen.
X‐Ray Writing of Metallic Conductivity and Oxygen Vacancies at Silicon/SrTiO3 Interfaces
Lithography‐like writing of conducting regions at the interface between SrTiO3 and amorphous Si using X‐ray irradiation opens ways for spatially controlled functionalities in oxide heterostructures.